[1] 韩荣典,叶邦角,翁惠民,等. 慢正电子束技术的应用与发展[J]. 物理学进展, 1999, 19(3): 305-330. HAN Rongdian, YE Bangjiao, WENG Huimin, et al. Application and development of slow positron technique[J]. Progress in Physics, 1999, 19(3): 305-330. [2] SCHULTZ PETER J, LYNN K G. Interaction of positron beams with surfaces, thin films, and interfaces[J]. Rev Mod Phys, 1988, 60(3): 701-779. [3] BENTABET A, BOUARISSA N.Positron backscattering from an Al target: Analytical calculation and Monte Carlo simulation[J]. Surf Interface Anal, 2007, 39(5): 377-380. [4] COLEMAN P G, BAKER J A, CHILTON N B. Experimental studies of positron stopping inmatter: The binary sample method[J]. J Phys: Condens Matter, 1993, 5(43): 8117-8128. [5] ASOKA-KUMAR P, LYNN K G. Implantation profile of low-energy positrons in solids[J]. Appl Phys Lett, 1990, 57(16): 1634-1636. [6] VALKEALAHTI S, NIEMINEN R M.Monte-Carlo calculations of keV electron and positron slowing down in solids[J]. Appl Phys A, 1983, 32(2): 95-106. [7] VALKEALAHTI S, NIEMINEN R M. Monte-Carlo calculations of keV electron and positron slowing down in solids. Ⅱ[J]. Appl Phys A, 1984, 35(1): 51-59. [8] SELIGERH H. The backscattering of positrons and electrons[J]. Phys Rev, 1952, 88(2): 408-412. [9] BENTABET A, FENINECHE N E.Backscattering coefficients for low energy electrons and positrons impinging on metallic thin lms: Scaling study[J]. Appl Phys A, 2009, 97: 425-430. [10] MASSOUMI G R, LENNARD W N, SCHULTZ P J, et al. Electron and positron backscattering in the medium-energy range[J]. Phys Rev B, 1993, 47(17): 11007-11018. [11] MASSOUMI G R, HOZHABRI N, JENSEN K O, et al.Positron and electron backscattering from solids[J]. Phys Rev Lett, 1992, 68(26): 3873-3876. [12] BAKER J A, CHILTON N B, JENSEN K O, et al.Material dependence of positron implantation depths[J]. Appl Phys Lett, 1991, 59(23): 2962-2964. [13] AYD1N A. Monte-Carlo calculations of positron implantation profiles in silver and gold[J]. Radiat Phys Chem, 2000, 59(3): 277-280. [14] RITLEY K A, LYNN K G, GHOSH V J, et al. Low-energy contributions to positron implantation[J]. J Appl Phys, 1993, 74(5): 3479-3496. [15] ALI E S M, ROGERS D W O. Benchmarking EGSnrc in the kilovoltage energy range against experimental measurements of charged particle backscatter coefficients[J]. Phys Med Biol, 2008, 53(6): 1527-1543. [16] ALI E S M, ROGERS D W O.Energy spectra and angular distributions of charged particles backscattered from solid targets[J]. J Phys D: Appl Phys, 2008, 41(5): 055505. [17] DRYZEK J, HORODEKP. GEANT4 simulation of slow positron beam implantation proles[J]. Nucl Instrum Method Phys Res B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2008, 266(18): 4000-4009. [18] DRYZEK J, SIEMEK K.The “accumulation effect” of positrons in the stack of foils, detected by measurements of the positron implantation profile[J]. J Appl Phys, 2013, 114(22): 224901. [19] NING Xia, CAO Xingzhong, LI Chong, et al.Modication of source contribution in PALS by simulation using Geant4 code[J]. Nucl Instrum Method Phys Res B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2017, 397:75-81. [20] BENTABET A, FENINECHE N E, LOUCIF K.A comparative study between slow electrons and positrons transport in solid thin lms[J]. Appl Surf Sci, 2009, 255:7580-7585. [21] GLAZOV L G,PZSIT I. Applications of invariant embedding: Positron backscattering from surfaces[J]. Nucl Instrum Method Phys Res B, 2004, 215(3-4): 509-524. [22] MASSOUMI G R, HOZHABRI N, LENNARD W N, et al. Doubly differential positron-backscattering yields[J]. Phys Rev B, 1991, 44(7): 3486-3489. [23] COLEMAN P G, ALBRECHT L, JENSEN K O, et al. Positron backscattering from elemental solids[J]. J Phys: Condes Matter, 1992, 4(50): 10311-10322. [24] BAKER J A, COLEMAN P G. Measurement of coefficients for the back-scattering of 0.5-30 keV positrons from metallic surfaces[J]. J Phys C: Solid State Phys, 1988, 21(23): L875-L880. [25] BAKER J A, CHILTON N B, JENSEN K O, et al. Median penetration depths and implantation profiles for low energy positrons in Al[J]. J Phys: Condens Matter, 1991, 3(22): 4109-4114. [26] MAKINEN J, PALKO S, MARTIKAINEN J, et al.Positron backscattering probabilities from solid surfaces at 2-30 keV[J]. J Phys: Condens Matter, 1992, 4(36): L503-L508. [27] BAKER J A, CHILTON N B, COLEMAN P G.Stopping of 10-50 keV positrons in aluminum[J]. Appl Phys Lett, 1991, 59(2):164-166. [28] AGOSTINELLI S, ALLISON J, AMAKO K, et al.Geant4: A simulation toolkit[J]. Nucl Instrum Method Phys Res A, 2003, 506(3): 250-303. [29] HUANG Shijuan, PAN Ziwen, LIU Jiandang, et al. Simulation of positron backscattering and implantation proles using Geant4 code[J]. Chin Phys B, 2015, 24(10):107803. [30] LAI Xin, JIANG Xiaopan, CAO Xingzhong, et al. Simulation of positron backscattering on Al, Cu, Ag and Au targets using GEANT4 code[J]. Surf Interface Anal, 2016, 49(5):457-463. [31] CHAOUI Z, BOUARISSA N.Positron and electron backscattering from elemental solids in the 1-10 keV energy range[J]. J Phys: Condens Matter, 2004, 16(6):799-808.
第2期《中国科学技术大学学报》征稿简则
《中国科学技术大学学报》征稿简则 《中国科学技术大学学报》由郭沫若、华罗庚和严济慈等一大批老一辈科学家亲手于1965年在北京创刊,先后有30多位院士担任编委.由中国科学院主管,中国科学技术大学主办,为综合性自然科学国家重点级核心学术期刊(月刊,国内外公开发行),主要刊登具有创新性、高水平的学术论文以及由科学大家或知名教授撰写的反映学科前沿的评述,并且开设专家论坛,就一些重大科学研究问题进行建设性的讨论.欢迎国内外学者投稿.
1 栏目 本刊设科研论文、综述文章、专家观点、科普文章等栏目. 1.1 科研论文 介绍某一课题高水平研究成果.来稿要求内容充实,推论严谨,数据可靠、完整,文字精练,结论正确.欢迎发表系列论文和团队论文.
1.2 综述文章 综述某一重要研究领域的代表性成果,评论研究现状,提出尚待解决的问题,并指明今后研究方向.一般约请科学大家或知名教授撰写,作者亦可向编辑部自荐. 1.3 专家观点 就科学研究重大基础问题、前沿问题或热点问题提出解决问题的新思路,发表不同的见解或进行建设性的讨论.
1.4 科普文章 关注社会热点,关注最新的科研动态,向公众宣传和普及科技知识.
2 投稿要求和注意事项 2.1 正文书写顺序 标题(一般不超过20个汉字)、作者姓名、作者单位,所在城市及邮政编码、中文摘要、关键词(3~8条)、中图分类号(数学稿还须提供AMS Subject Classification)、与中文相对应的英文标题、作者姓名(汉语拼音,姓前名后,姓全大写,名首字母大写)、作者单位译名、英文摘要、英文关键词、正文、参考文献.若为英文稿,题名不超过100个字符,书写顺序同上. 在文稿首页地脚处注明基金资助项目名称及项目号,并对第一作者(姓名,性别,出生年,学位/职称,目前主要的研究方向及E-mail)与通讯作者(姓名,学位/职称,E-mail)进行简要介绍.通讯作者是课题负责人或导师,要负责及时对读者的问题给予解答.
2.2 对摘要的要求 摘要内容应包括有与论文同等量的主要信息,应说明研究目的、采用的方法、研究成果及结论四个部分.中英文摘要需对应.中文摘要约250个汉字,英文摘要约300个单词.避免使用“This paper,in this paper(本文)”或“I(我)”等,用词要客观,尽量减少不必要的修饰.
2.3 对量、单位及符号的要求 文中物理量、计量单位及符号的使用必须符合国际标准和国家标准(GB3100-93~GB3102-93).正确书写易混淆的外文字母的文种、大小写、正斜体、黑白体及上下角标.
2.4 对图、照片、表的要求 文中图要直观、简明、清晰.图中的文字、符号、纵横坐标必须写清,并与正文保持一致. 图版、照片必须图像清晰,层次分明,请提供矢量图或线条图,不接收扫描图;可根据作者需要印刷彩页. 表的格式采用三线表,必要时可加辅助线,所用文字、符号、单位要与正文一致. 图、图版、照片、表均要求提供中、英文对照的图题、表题.
2.5 对参考文献的要求 参考文献必须标全并注意引用国内外的最新文献.按在正文中出现的先后次序列于正文后,编号用数字加方括号表示,如[1],[2],…,与正文中的指示序号一致. 本刊执行国家标准《文后参考文献著录规则》(GB/T 7714-2015)和《中国学术期刊(光盘版)检索与评价数据规范》.中文参考文献请先按下列格式完整列出其中文,然后完整著录出英文. 各类参考文献条目的编排格式如下:
期刊类 作者名.引文题目[J].期刊名,出版年份,卷(期):起止页码. 专著类 作者名.书名[M].版本(第一版不写).出版地:出版者,出版年:起止页码. 论文集类(或会议论文集类) 引文作者名.引文题目[C]∥论文集主编名.论文集名.出版地(会址):出版者,出版年:起止页码. 学位论文类 作者名.题名[D].保存地点:保存单位,年份. 专利类 专利所有者.专利题名:专利国别,专利号[P/文献载体标志].出版日期. 标准类 标准编号,标准名称[S]. 电子文献类 作者名.电子文献题名[文献类型标志/文献载体标志].[引用日期].获取和访问路径. 作者(或编者、译者)不超过3人时全部写出,超过者只写前3人,后加“等”或“et al”,书写外文作者或编者时,姓前名后,名用缩写. 所引文献必须是作者直接阅读过的、最主要的、发表在正式出版物上的文献,请核实所著录的文献;尚未公开发表的论文、预印本等,一律不列入正式文献,如有必要可作注释处理,一般在当页下脚加注.
3 投稿约定 3.1 学报已启用在线稿件处理系统,投稿查稿请到学报主页http://just.ustc.edu.cn.对拟刊用的稿件要求提供电子文档(方正排版文件、*.DOC、*.TXT、*.TEX文件均可;图件请存为eps, vsd, tif, jpg格式,矢量图可以直接放到word文档中),同时收取版面费.来稿一经发表,即按篇酌致稿酬(包含了纸版、光盘版和网络电子版稿酬),并赠送当期期刊2册. 3.2 稿件实行严格的同行专家评审制度,“不计资历,不抑后起,不亲近疏远,以质论稿”,须经同行专家评审、编委会审定决定取舍.为了确保与客观表明在本刊发表的论文的水平与学术档次,这一评审过程是按照严格、客观、公正的要求以及一定程序进行的,因而评审是需要一个过程的,在这期间作者不得将该稿投往他处,编辑部负责及时(一般在3个月内)通报审稿意见并要求作者及时吸收这些意见修改稿件、提高水平.除主动约请外,本刊只刊载首发稿,若发现作者一稿多投或有剽窃、抄袭或造假等行为,编辑部将追补对本刊造成的损失并通报作者单位. 3.3 稿件文责自负.编辑部对来稿有权做技术性和文字修改,但实质性内容的修改须征得作者同意. 3.4 本刊现为纸张印刷版—光盘版—网络版三位一体的出版模式,编辑部自文稿发表之日起取得文稿的各种专有出版权和独家使用与代理权,有权进行各种方式的出版或复制,进一步传播论文,扩大论文影响.本刊已被国内外众多有影响的数据库列入收录刊源,为了扩大论文影响与传播范围,本刊发表的论文将被编入《中国学术期刊(光盘版)》和“万方数据(China Info)系统科技期刊群”、《中文科技期刊数据库》、“龙源国际名刊网”及“台湾华艺电子期刊资料库”等数据库和有关的文摘或进入个别有影响的正规出版的全文文选,并向国外有关数据库、检索机构报送.因此,向本刊投稿者则视同认可并授权本刊上述做法. 3.5 作者务必严格遵守国家有关保密规定,不得泄露国家秘密. 对投稿有关事项需进一步了解者,可向合肥市金寨路96号中国科学技术大学学报编辑部询问, 邮政编码:230026;电话:(0551)63601961,63607694,63606890;E-mail:just@ustc.edu.cn;网址:http://just.ustc.edu.cn. 中国科学技术大学学报编辑部
|