摘要:
结合Stoney公式的多光臂应力测量方法能够有效检测出薄膜电极在充放电过程中的平均应力.然而,经典Stoney公式仅适用于低应力水平的情况.运用修正的Stoney公式考虑了硅电极材料力学性质的变化和基底曲率剧烈 变化情况下电极薄膜中应力的演化规律.基于应力和扩散相互耦合的三维非线性有限元模型,验证了修正Stoney公 式的准确性.进一步,讨论了曲率分叉出现的条件,确保使用修正的Stoney公式时避免出现曲率分叉行为.
中图分类号:
刘佩琳, 陆宇阳, 郑东昌, 何陵辉, 倪勇∗ . 应用修正Stoney公式原位测量硅薄膜电极中的锂化应力
[J]. 中国科学技术大学学报, 2020, 50(12): 1516-1524.
LIU Peilin, LU Yuyang, ZHENG Dongchang, HE Linghui, NI Yong∗ . Modified Stoney formula for in-situ lithiation stress measurement in thin-film Si electrode
[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 2020, 50(12): 1516-1524.